忆阻器导论及神经形态计算应用

(周菲迟)SME50232023春 2022春  
2023春 2022春
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选课类别:专业任务 教学语言:英文
课程类别:专业选修课 开课单位:深港微电子学院
课程层次:研究生 获得学分:2.0
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课程简介(教工部数据)
忆阻器被认为是第四种电路基本元件,且被视为下一代非易失性存储器技术,具有高速、低功耗、易集成、以及与CMOS工艺兼容等优势,能够满足下一代高密度信息存储和高性能计算对通用型电子存储器的性能需求。同时,忆阻器能够实现非易失性状态逻辑运算和类脑神经形态计算功能,在单个器件中融合信息存储与计算,可作为未来信息存储与计算融合的非冯诺依曼架构的核心基础器件,在大数据时代超高密度信息存储、超高性能计算和类脑人工智能等重大战略领域中具有里程碑的意义和基石的作用。本课程将介绍忆阻器的基本知识及其在逻辑运算、模拟电路以及神经形态计算的应用,包括如下部分:1. 忆阻器理论2. 忆阻器材料与物理机制3. 忆阻器工艺与集成4. 忆阻器在模拟电路的应用5. 忆阻器在类脑神经形态计算中的应用6. 光控忆阻器简介


Non-volatile memory (NVM) will play a decisive role in the development of the next-generation of electronic products. Therefore, the development of next-generation NVM is urgent as widely applied flash memory is facing its physical limit. Among various next-generation NVMs, Resistive Random Access Memory (RRAM) is a promising candidate for future memory due to its high-efficiency, high-speed and energy-saving characteristics. This course will introduce the basics of RRAM, RRAM for logic operations, analogue circuits and neuromorphic computing, including below parts:1. Basics of RRAM2. RRAM Materials and physical mechanisms of RRAMs3. RRAM fabrication and integration4. RRAM for logic operations and analogue circuits5. RRAM for neuromorphic computing6. Introduction of emerging optoelectronic RRAM
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周菲迟

深港微电子学院

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